Программа вступительного экзамена в магистратуру по направлению 210100 «электроника и наноэлектроника»




Скачать 67,22 Kb.
НазваниеПрограмма вступительного экзамена в магистратуру по направлению 210100 «электроника и наноэлектроника»
Дата публикации19.04.2013
Размер67,22 Kb.
ТипПрограмма
pochit.ru > Физика > Программа
МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»

им. В.И.Ульянова (Ленина)

«УТВЕРЖДАЮ»
Проректор по учебной работе профессор

_____________________/Лысенко Н.В./

ПРОГРАММА

ВСТУПИТЕЛЬНОГО ЭКЗАМЕНА В МАГИСТРАТУРУ

ПО НАПРАВЛЕНИЮ

210100 - «ЭЛЕКТРОНИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА»

Санкт-Петербург

2011
СОДЕРЖАНИЕ ПРОГРАММЫ

Раздел 1. Материалы и элементы электронной техники.


  1. Общая классификация материалов по составу, свойствам и техническому назначению.

  2. Физическая природа электропроводности металлов, сплавов, полупроводников, диэлектриков и композиционных материалов.

  3. Сверхпроводящие металлы и сплавы.

  4. Характеристика проводящих и резистивных материалов во взаимосвязи с их применением в электронной технике.

  5. Характеристика и основные физико-химические, электрические и оптические свойства элементарных полупроводников, полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе.

  6. Примеры реализации полупроводниковых структур в приборах и устройствах электроники.

  7. Основные физические процессы в диэлектриках (поляризация, пробой, диэлектрические потери) и способы их описания.

  8. Активные и пассивные диэлектрические материалы и элементы на их основе.

  9. Магнитные материалы и элементы общего назначения.

  10. Методы исследования материалов и элементов электронной техники.


Литература

1. Материалы и элементы электронной техники. В 2 т. Т.1 Проводники, полупроводники, диэлектрики: учебник для студ. высш. учеб. заведений / В.С.Сорокин, Б.Л.Антипов, Н.П.Лазарева. – М.: Издательский центр «Академия», 2006. ISBN 5-7695-2785-4

2. Материалы и элементы электронной техники. В 2 т. Т.2 Активные диэлектрики, магнитные материалы, элементы электронной техники: учебник для студ. высш. учеб. заведений / В.С.Сорокин, Б.Л.Антипов, Н.П.Лазарева. – М.: Издательский центр «Академия», 2006. ISBN 5-7695-2780-3

3. Антипов Б.Л., Сорокин В.С., Терехов В.А. Материалы электронной техники. Вопросы

и задачи. Учебное пособие. - СПб.: Лань, 2001.

Раздел 2 Вакуумная и плазменная электроника
1. Основные виды эмиссии с поверхности твердого тела.

2. Закон степени 3/2 и его значение для приборов вакуумной и плазменной электроники.

3. Формирование и транспортировка потоков заряженных частиц на примере электронных потоков.

4. Управление параметрами электронных потоков.

5. Преобразование энергии электронного потока в другие виды энергии.

6. Ионизованный газ и плазма.

7. Элементарные процессы в плазме и на пограничных поверхностях.

8. Основные методы генерации плазмы.

9. Модели для описания свойств плазмы.

10. Типы газовых разрядов.

11. Общие свойства плазмы.

12. Методы диагностики параметров плазмы.

13. Применение плазмы в электронике.

Литература

1. Сушков А.Д. Вакуумная электроника: Физико-технические основы: Учеб. пособие. СПб.: Лань, 2004.

2. Булычев А.Л., Лямин П.М., Тулинов Е.С. Электронные приборы: Учеб. пособие. М.: Энергоиздат, 2000.

3. Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Вводный том, книги №№ 1-4,. М.: Наука/Интерпериодика, 2000.

4. Барченко В.Т., Быстров Ю.А., Колгин Е.А. Ионно-плазменные технологии в электронном производстве /Под ред. Ю.А. Быстрова, СПб.: Энергоатомиздат, СПб. отд-ние, 2001.
Раздел 3. Твердотельная электроника

  1. Явления переноса в твердых телах. Подвижность и диффузия носителей заряда.

  2. Выпрямляющий контакт металл-полупроводник. Энергетическая диаграмма контакта, ВАХ. Омический контакт металл-полупроводник

  3. Свойства контакта p – n (p – n переход).

  4. Диоды на основе p – n перехода. Выпрямительный диод, стабилитрон, варактор, pin- ди­од. Особенности ВЧ и СВЧ диодов.

  5. Туннельный диод. Структура, основные характеристики. Обращенный диод

  6. Конструкция и принцип действия биполярного транзистора

  7. Основные режимы работы биполярного транзистора. Схема с общей базой, с общим эмит­тером. Частотные свойства.

  8. Структура и принцип действия тиристора. Эффекты dI/dt и dU/dt.

  9. Структура и принцип действия полевого транзистора с затвором Шоттки (ПТШ)

  10. Полевые транзисторы с управляющим p – n переходом

  1. Поверхностные эффекты. МДП структура и приборы на ее основе

  2. Структура и принцип действия МДП транзистора с индуцированным n-каналом. Основ­ные характеристики. Пороговое напряжение. Быстродействие МДП транзисторов.

  3. Принцип действия лавинно-пролетных (ЛПД) и инжекционно-пролетных (ИПД) диодов.

  4. Гетероструктура – особенности и основные свойства. Зонная диаграмма изотипных и анизотипных гетеропереходов. Основные применения гетероструктур в твердотельной элек­тронике.

  5. Полевой транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT).

  6. Гетеробиполярные транзисторы (ГБТ).

  7. Основные типы полупроводниковых фотоприемников. Конструкция, основные характе­ристики

  8. Принцип действия солнечных батарей. Принцип действия детекторов ядерных частиц. Триодные фотодетекторы.

  9. Светодиоды и лазеры на основе широкозонных полупроводников.

  10. Полупроводниковые датчики температуры, давления, электрического и магнитного по­лей.

Литература

  1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. Учебник.- М.: Высшая школа, 2006.

  2. Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов/. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008.

  3. Гуртов В.А. Твердотельная электроника. / Учебное пособие. М.: Техносфера, 2005

  4. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов / Перев. с англ.. Кн. 1-2. – М.: Мир, 1984.

Раздел 4 Микроэлектроника


  1. Основные типы ИМС и конструкторско-технологические особенности их изготовления. Этапы производства полупроводниковой интегральной схемы.

  2. Физические ограничения на уменьшение размеров активных элементов ИС и степень их интеграции.

  3. Технологические факторы, определяющие предельные возможности микроэлектроники. Ограничения современных литографических методик и перспективные методы повышения их разрешающей способности.

  4. Методы изоляции элементов ИМС. Структуры «кремний на изоляторе» и «кремний на сапфире».

  5. Интегральные пассивные и активные элементы ИМС. Особенности микроэлектронных схем, изготовленных методами планарной, изопланарной и гибридной технологий.

  6. Транзисторные ключи на биполярных и МДП-транзисторах. Ключи на комплементарных МДП-структурах как основа для построения микромощных схем.

  7. Примеры схемотехнических решений ИМС на основе полевых транзисторов. Базовые логические схемы.

  8. Транзисторно-транзисторные структуры и элементы с эмитттерной связью. Логическая ячейка на элементах с инжекционным питанием.

  9. Биполярные и МДП-элементы для интегральных операционных усилителей.

  10. Схемы памяти. Запоминающие ячейки оперативной памяти. Постоянные запоминающие устройства. Флэш-память.

  11. Основные компоненты и характеристики интегральных схем СВЧ-диапазона.

  12. Современные тенденции развития элементов интегральных схем и ИМС.


Литература

  1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. - СПб., «Лань», 2009 г., 480 с.

  2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. - СПб., «Лань», 2008 г., 384 с.

  3. А. А. Барыбин. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008 г., 424 стр.

  4. Александров О.В. Технологические процессы изготовления СБИС – СПб: Изд. ЛЭТИ, 2005 г.

  5. Степаненко И.П. – Основы микроэлектроники – М.: ЛБЗ, 2001 г.

  6. Вендик О.Г., Зубко С.П. Микроэлектроника. – СПб: Изд. ЛЭТИ, 2003 г.



Раздел 5 Квантовая и оптическая электроника

  1. Способы описания электромагнитного излучения оптического диапазона

  2. Квантовые переходы. Спонтанное и вынужденное излучение. Коэффициенты Эйнштейна.

  3. Механизмы уширения спектральных линий.

  4. Рассеяние света.

  5. Принцип работы квантовых усилителей и генераторов. Схемы работы лазеров.

  6. Методы возбуждения активной среды (накачка).

  7. Оптические резонаторы. Их основные типы и особенности.

  8. Условие самовозбуждения и насыщение усиления.

  9. Нестационарная генерация, модуляции добротности и синхронизация мод.

  10. Квантовые генераторы СВЧ-диапазона.

  11. Газовые лазеры.

  12. Твердотельные и жидкостные лазеры. Перестраиваемые лазеры.

  13. Волоконные лазеры.

  14. Светоизлучающие диоды (СИД). Параметры и характеристики. Эффективность СИД. Белые светодиоды.

  15. Полупроводниковые лазеры. Полосковый лазер. Лазеры на основе двойной гетероструктуры с раздельным ограничением (РО ДГС) и лазеры с распределенной обратной связью (РОС-лазеры).

  16. Фотоприёмники, их виды, принципы действия, устройство.

  17. Фоторезисторы, фотодиоды и их основные параметры и характеристики.

  18. Приборы фотоэлектрической солнечной энергетики. Способы повышения их КПД.

  19. Оптические методы передачи и обработки информации, их особенности.


Литература

  1. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника., учебник. - М., "Высшая школа", 2001 г

  2. Панов М.Ф., Соломнов А.В., Филатов Ю.В. Физические основы интегральной оптики. – М.: ИД "Академия", 2010 г., 427 с.

  3. Ишанин Г.Г. Приемники излучения, учебное пособие для ВУЗов – СПб., Папирус, 2003 г.

  4. Тарасов С.А., Пихтин А.Н. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы, учебное пособие – СПб, Изд. ЛЭТИ, 2008 г.

Похожие:

Программа вступительного экзамена в магистратуру по направлению 210100 «электроника и наноэлектроника» iconПрограмма вступительного экзамена по специальности 05. 27. 01. Твердотельная...
Строение твердого тела. Строение атома. Кристаллическая решётка, кристаллы, твердые тела. Колебания кристаллической решетки, акустические...
Программа вступительного экзамена в магистратуру по направлению 210100 «электроника и наноэлектроника» iconПрограмма-минимум кандидатского экзамена по специальности
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы
Программа вступительного экзамена в магистратуру по направлению 210100 «электроника и наноэлектроника» iconПрограмма вступительного экзамена в магистратуру по направлению «менеджмент»
Выбор потребителя. Полезность и предельная полезность. Предпочтения потребителя и кривые безразличия для разных типов благ. Предельная...
Программа вступительного экзамена в магистратуру по направлению 210100 «электроника и наноэлектроника» iconПрограмма междисциплинарного экзамена на 2012 г по направлению 210100...
ОЭ. Ключевой режим работы биполярного транзистора. Принцип действия и характеристики полевого транзистора с управляющим р-п-переходом....
Программа вступительного экзамена в магистратуру по направлению 210100 «электроника и наноэлектроника» iconПрограмма собеседования для поступления в магистратуру по направлению 020400 Биология
В основу программы собеседования положены следующие дисциплины блока опд государственного образовательного стандарта высшего профессионального...
Программа вступительного экзамена в магистратуру по направлению 210100 «электроника и наноэлектроника» iconГраф научных интересов
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Программа вступительного экзамена в магистратуру по направлению 210100 «электроника и наноэлектроника» iconПрограмма вступительных испытаний в магистратуру по направлению 020200 Биология
...
Программа вступительного экзамена в магистратуру по направлению 210100 «электроника и наноэлектроника» iconПрограмма Государственного экзамена принята на заседании Ученого...
Программа Государственного экзамена согласована с председателем гак по специальности ( направлению) «Социология»
Программа вступительного экзамена в магистратуру по направлению 210100 «электроника и наноэлектроника» iconПрограмма для подготовки к междисциплинарному государственному экзамену...
Основные законы строения и свойства кристаллов. Кристаллографические индексы и символы узлов, направлений, плоскостей. Симметрия...
Программа вступительного экзамена в магистратуру по направлению 210100 «электроника и наноэлектроника» iconПрограмма итогового (государственного) комплексного междисциплинарного...
Программа итогового (государственного) комплексного междисциплинарного экзамена по
Вы можете разместить ссылку на наш сайт:
Школьные материалы


При копировании материала укажите ссылку © 2019
контакты
pochit.ru
Главная страница