Вопросы к зачету по курсу ТП МЭ
Классификация микросхем по конструктивно-технологическому признаку, функциональному назначению, применяемости. Понятия «интегральная микросхема (ИМС)», «интегральная технология», «степень интеграции».
Технико-экономические факторы, обусловливающие необходимость повышения степени интеграции ИМС. Технологические и экономические факторы, ограничивающие степень интеграции.
Подложки ИМС. Назначение, классификация, обозначение по ГОСТ.
Понятия «физическая структура ИМС» и «топология ИМС». Классификация частных ТП производства полупроводниковых ИМС. Типы структур ИМС. Биполярные, МДП- и КМДП-структуры транзисторов.
Рациональная последовательность формирования топологических слоев. Понятие «технологическая совместимость» элементов ИМС. Технологические циклы формирования полупроводниковых и поверхностных слоев для диффузионно-планарной структуры ИМС. Недостатки структуры.
Рациональная последовательность формирования топологических слоев. Понятие «технологическая совместимость» элементов ИМС. Технологические циклы формирования полупроводниковых и поверхностных слоев для эпитаксиально-планарной структуры ИМС. Достоинства и недостатки структуры.
Рациональная последовательность формирования топологических слоев. Понятие «технологическая совместимость» элементов ИМС. Технологические циклы формирования полупроводниковых и поверхностных слоев для эпитаксиально-планарной структуры ИМС со скрытым слоем. Достоинства и недостатки структуры.
Рациональная последовательность формирования топологических слоев. Понятие «технологическая совместимость» элементов ИМС. Технологические циклы формирования полупроводниковых и поверхностных слоев для изопланарной структуры ИМС. Достоинства и недостатки структуры.
Рациональная последовательность формирования топологических слоев. Понятие «технологическая совместимость» элементов ИМС. Технологические циклы формирования полупроводниковых и поверхностных слоев для полипланарной структуры ИМС. Достоинства и недостатки структуры.
Рациональная последовательность формирования топологических слоев. Понятие «технологическая совместимость» элементов ИМС. Технологические циклы формирования полупроводниковых и поверхностных слоев для структуры ИМС с диэлектрической изоляцией. Достоинства и недостатки структуры.
Рациональная последовательность формирования топологических слоев. Понятие «технологическая совместимость» элементов ИМС. Технологические циклы формирования полупроводниковых и поверхностных слоев для МДП и КМДП-структур ИМС. Достоинства структур.
Термическая диффузия примеси из газовой фазы. Физические основы процесса. Законы Фика. Одностадийный и двухстадийный процессы, область применения. Функции распределения примеси.
Технология и оборудование процесса термической диффузии. Легирующие элементы и диффузанты. Схема диффузионной печи. Расчет режимов диффузии.
Ионная имплантация примеси. Преимущества и ограничения процесса. Структурные нарушения и отжиг структур. Физические основы процесса. Функция распределения примеси.
Схема установки ионной имплантации. Расчет режимов ионной имплантации. Особенности и область применения ступенчатого и комбинированного процессов.
Разновидности процесса эпитаксии и области их применения. Эпитаксия кремния из газовой фазы. Химические основы процесса. Схема установки эпитаксиального наращивания и цикл ее работы.
Формирование диэлектрических покрытий. Термическое окисление кремния в сухом кислороде, атмосфере водяного пара, комбинированное.
Формирование диэлектрических покрытий. Осаждение оксида, нитрида кремния.
Фотолитография. Основные этапы процесса. Фоторезисты и их свойства. Негативные и позитивные фоторезисты. Сенситометрические характеристики фоторезистов.
Подготовка пластин к нанесению фотослоя. Нанесение и сушка фотослоя. Особенности выполнения, оборудование, технологические режимы.
Совмещение с фотошаблоном и экспонирование. Знаки совмещения. Анализ погрешностей совмещения. Особенности выполнения, оборудование, технологические режимы.
Проявление и термообработка фотомаски. Химическое травление кремния, окиси кремния, алюминия. Особенности выполнения, оборудование, технологические режимы.
Технологические основы производства фотошаблонов. Конструкция фотошаблона. Характеристики качества рисунка (погрешности). Варианты ТП производства фотошаблонов в зависимости от степени интеграции ИС. Сравнительный анализ вариантов изготовления фотошаблонов по трудоемкости.
Перспективные методы литографии. Рентгенолитография. Источники рентгеновского излучения, рентгеношаблоны. Схема процесса экспонирования. Достоинства метода.
Перспективные методы литографии. Электронолитография. Организация процесса экспонирования электронным лучом методом сканирования. Достоинства метода.
Зондовый контроль функционирования ИМС на пластине. Зондовые установки функционального контроля.
Параметрический контроль элементов ИМС. Состав и функции измерительных процедур. Компоновка тестовых кристаллов на пластине.
|
